Hôm qua, hãng bắt đầu cho thử nghiệm mẫu bộ nhớ DDR3 4 Gigabit (tương đương 512MB) năng lượng thấp đầu tiên trên thế giới dành cho các thiết bị di động. này không chỉ có hiệu năng cao mà còn được sử dụng một kỹ thuật mới được gọi là Wide IO cải thiện đáng kể tốc độ. Bằng cách chuyển đến một băng thông "x512-bit", nó sẽ hướng đến nhiều hơn 12.8 Gigabit mỗi giây, hoặc nhiều hơn 10 lần so với bình thường.
Ngay cả khi hoạt động tốc độ cao, loại bộ nhớ này cũng không làm ảnh hưởng đến thời gian sử dụng pin. Elpida ước tính rằng nó chỉ sử dụng một nửa năng lượng so với loại DDR2 năng lượng thấp khi hạ tốc độ truyền tải xuống và chỉ ngốn ít hơn 25% so với DDR2. Bộ nhớ có thể được đóng gói chung với chip, về mặt lý thuyết chỉ cho phép kết hợp bộ nhớ dung lượng 1GB -2GB trên một chip đơn.

Bộ nhớ DDR3 năng lượng thấp sẽ đi vào sản xuất đại trà vào năm 2012. Elpida đang nhắm mục tiêu rõ ràng của bộ nhớ RAM mới này đến smartphone và máy tính bảng, nơi mà đòi hỏi tốc độ xử lý các ứng dụng nhiều hơn và hướng đến chip đồ họa cũng như bộ VXL thế hệ mới. Apple và các công ty tên có tên tuổi lớn khác trên thị trường điện thoại di động cũng thường sử dụng bộ nhớ của hãng Elpida trong các thiết bị của họ.


Hữu Tuấn (Theo ELT)